JoJoshakar
Популярные заблуждения про радиационную стойкость микросхем. Часть 2
Начало статьи... С одиночными сбоями ситуация такая: приблизительный диаметр области, из которой идет сбор заряда при попадании одиночной частицы — порядка одного микрона, то есть больше размеров ячейки памяти, выполненной по глубоко субмикронным проектным нормам. И действительно, экспериментально обнаруживаются так называемые…